台积电2nm工艺缺陷率优于3nm和5nm

4月26日的消息显示，在近期举行的北美技术论坛上，台积电首次对外披露了其N2（2nm制程）工艺的缺陷率（D0）相关信息。与此前的7nm、5nm以及3nm等制程相比，N2工艺在缺陷率控制方面表现更为优异。虽然台积电并未公开具体的缺陷率数据，但展示了不同制程工艺随时间变化的缺陷率趋势。N2是台积电首次引